高壓電容分三類：
一類為溫度補(bǔ)償型NPO介質(zhì)
NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時(shí)間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對(duì)穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數(shù)型X7R介質(zhì)
X7R是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種
高壓高容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時(shí)間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導(dǎo)體型X5R介質(zhì)
X5R具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R，容量、損耗對(duì)溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機(jī)中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。
優(yōu)點(diǎn)：封裝體積小,質(zhì)量穩(wěn)定，絕緣性能高，耐高壓
缺點(diǎn):容量較小，目前最大100UF，易于被脈沖電壓擊穿。
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