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簡(jiǎn)述關(guān)于金屬化電容的缺點(diǎn)及改善介紹


簡(jiǎn)述關(guān)于金屬化電容的缺點(diǎn)及改善介紹

 金屬化電容從原理上分析,金屬化薄膜電容應(yīng)不存在短路失效的模式,而金屬箔式 電容器會(huì)出現(xiàn)很多短路失效的現(xiàn)象(如 27-PBXXXX-J0X 系列)。金屬化薄膜電 容器雖有上述巨大的優(yōu)點(diǎn),但與金屬箔式電容相比,也有如下兩項(xiàng)缺點(diǎn):一是容量穩(wěn)定性不如箔式電容器,這是由于金屬化電容在長(zhǎng)期工作條件易

 出現(xiàn)容量丟失以及自愈后均可導(dǎo)致容量減小,因此如在對(duì)容量穩(wěn)定度要求很高 的振蕩電路使用,應(yīng)選用金屬箔式電容更好。另一主要缺點(diǎn)為耐受大電流能力較差,這是由于金屬化膜層比金屬箔要薄 很多,承載大電流能力較弱。為改善金屬化薄膜電容器這一缺點(diǎn),目前在制造 工藝上已有改進(jìn)的大電流金屬化薄膜電容產(chǎn)品,其主要改善途徑有

  1)用雙面 金屬化薄膜做電極;

  2)增加金屬化鍍層的厚度;

  3)端面金屬焊接工藝改良, 降低接觸電阻。

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